Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Wykorzystanie mikroskopii AFM do wizualizacji efektów prac nad otrzymaniem tlenków cyny SNO2

Tytuł:
Wykorzystanie mikroskopii AFM do wizualizacji efektów prac nad otrzymaniem tlenków cyny SNO2
The SNO2 formation proces observation and visualisation using AFM
Autorzy:
Lubańska, Z.
Grudniewski, T.
Chodyka, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/252767.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
mikroskopia (AFM)
SnO2
mikroskopia skaningowa
mikroskopia atomowa
STM
AFM
AFM microscopy
scanning microscopy
atomic microscopy
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2015, 12; 944-946, CD
1232-3829
2543-5728
Język:
polski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
W artykule przedstawiono charakterystyki cienkich warstw SnO2 na czystym szkle. Warstwy SnO2 nanoszone były metodą magnetronowego sputteringu (nanoszenie) na podłoże szklane w różnych temperaturach. Wykorzystano do tego urządzenie Magnetron Line 440. Do badania składu i morfologii warstwy użyto mikroskopii skaningowej i atomowej (STM/AFM). Na podstawie badań stwierdzono, że powłoki wykazują dobre połączenie z materiałem podłoża, charakteryzują się zróżnicowaną chropowatością i są jednorodnie chemiczne.

Atomic force microscopy is one of the most popular method used in surface imaging. This method allows to measure the surface topography and determine the dimensions of the structures in the subatomic resolution [1]. Due to its properties, it can be applied to the measurement of conductors and semiconductor surfaces prepared in various processes. The experiment is fo-cused on SnO2 and ITO thin layers which can be used as transparent electrodes [2]. The authors are trying to illustrate the correlation between process parameters - creation of semiconductor in magnetron sputtering by different process conditions (temperature and cooling process, gas pressure and composition), surface of the sample and its other electrooptical parameters.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies