Al₂O₃/TiO₂ thin films were deposited onto monocrystalline silicon surfaces using an atomic layer deposition. Their surface morphology and optical properties were examined for their possible use in solar cells. The surface condition and chemical composition were characterized using a scanning electron microscope and the thickness was measured using a spectroscopic reflectometer. The refractive index and the reflection characteristics were determined. First, the optical properties of the Al₂O₃ thin filmand its influence on recombination in the semiconductor were examined. In this way, it can fulfil a double role in a solar cell. Since reflection reduction was only achieved in a narrow range, it was decided to use the Al₂O₃/TiO₂ system. Thanks to this solution, the light reflection was reduced in a wide range (even below 0.2%).
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00