Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Enhanced clock gating technique for power optimization in SRAM and sequential circuit

Tytuł:
Enhanced clock gating technique for power optimization in SRAM and sequential circuit
Autorzy:
Ashok Kumar, C.
Madhavi, B.K.
Lal Kishore, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2141882.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
enhanced clock gating
D-Latch gating
SRAM
sequential circuit
Area
Delay
Źródło:
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2021, 15, 2; 32-38
1897-8649
2080-2145
Język:
angielski
Prawa:
CC BY-NC-ND: Creative Commons Uznanie autorstwa - Użycie niekomercyjne - Bez utworów zależnych 4.0
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Low power VLSI designs are having wide variety of application usage in real-time. VLSI circuits are analyzed with various power reduction strategies. Existing approaches are used the clock frequency control, switching activity and scaling factor for power reduction. The glitching problem and clock triggering issues are higher therefore; the proposed work utilized the improved circuit of clock gating technique. In this proposed work, the enhanced clock gating with D-latch model is constructed to obtain the less power consumption. The traditional clock gating technique is improved by adding clock triggering on LATCH circuit and adding buffer circuit between the source and load circuitry to reduce the clock switching issues like gitching and clocking activity. Here the SRAM and sequential counter circuits are designed to utilize the power reduction strategy for improving the performance. This is applicable for various applications in real world and utilizing the FPGA and DSP application specific circuits. Experimental results are analyzed to obtain the power reduction result of SRAM and sequential circuit. Area, power, and delay are obtained the better results as compared with the previous work. Overall, design is performed using Xilinx 14.2 ISE suit.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies