Numerous technological applications use MEMS capacitive sensing technique as a major component, because of their ease of fabrication process, inexpensive and high sensitivity. The paper aims at modeling interdigitated capacitive (IDC) sensing. Virtually observe the contribution of variations in geometrical parameters to sensor efficiency and optimization factor. The sensor design is verified through ANSYS simulations. Results indicate “an efficient but poorly optimized sensor is better than a well-optimized sensor”. It is difficult to detect capacitance in the range of few pF generated using capacitive sensing. How it can be maximized with dimension optimization is focused in this paper.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00