The discussion presented in the paper focuses on processes accompanying positron implantation in condensed matter. They finally constitute the positron implantation profile which generally does not exhibit the exponential behavior as it is concluded from the Monte Carlo simulation made using the EGSnrc 4.0 code. The simulation was performed for the kapton and two commonly used positron sources $\text{}^{22}$Na and $\text{}^{68}$Ge/g$\text{}^{68}$Ga. New formula for the implantation profile was proposed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00