Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

CdSe/ZnSe Quantum Dots Formed by Low Temperature Epitaxy and In-Situ Annealing: Properties and Growth Optimization

Tytuł:
CdSe/ZnSe Quantum Dots Formed by Low Temperature Epitaxy and In-Situ Annealing: Properties and Growth Optimization
Autorzy:
Mahapatra, S.
Schumacher, C.
Kiessling, T.
Astakhov, G. V.
Bass, U.
Ossau, W.
Geurts, J.
Brunner, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044500.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.16.Dn
81.05.Dz
73.21.La
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 769-776
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The formation of CdSe/ZnSe quantum dots by a method combining a low temperature MBE growth of a CdSe layer and its subsequent in-situ annealing at temperatures between 280-340ºC has been studied. The thermal treatment results in a re-organization of the surface from a nearly two-dimensional layer to an ensemble of three-dimensional dot-like features. In this work we optimized the different growth and annealing parameters of this process and compared the properties of the resultant dots with those of dots grown by conventional MBE at 300ºC. It is demonstrated that the luminescence properties of the dots for both growth techniques are comparable but the areal density achieved by the in-situ annealing technique is an order of magnitude lower. From high resolution X-ray diffraction results, it could be established that no desorption takes place despite significantly long annealing duration. Beyond a nominal coverage of 3.5 ML CdSe, stacking faults are generated, leading to a gradual decrease in luminescence intensities and an overlap of pendellösung fringes in X-ray diffractograms.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies