Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Channelling of H$\text{}^{0}$ and H$\text{}^{+}$ in Si Single Crystal

Tytuł:
Channelling of H$\text{}^{0}$ and H$\text{}^{+}$ in Si Single Crystal
Autorzy:
Moneta, M.
Gront, K.
Gwizdałła, T.
Czerbniak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035636.pdf
Data publikacji:
2002-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.85.+p
68.49.Sf
61.80.Lj
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 6; 759-766
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The differences in the Rutherford backscattering angular spectra measured for 100 keV hydrogen atoms H$\text{}^{0}$ and protons H$\text{}^{+}$ backscattered from Si crystal are reported and analysed. It was shown that the H$\text{}^{0}$ atom beam is better channelled in the pure crystal and is much more sensitive to the crystal surface coverage, particularly Au layer than the H$\text{}^{+}$ ion beam. The deep crystal regions seem to strengthen this differences.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies