From Localised to Ballistic Excitons in GaAs Quantum Wells

Szczegóły
Opis

Tytuł:: From Localised to Ballistic Excitons in GaAs Quantum Wells
Autorzy:: Pulizzi, F.
Christianen, P. C. M.
Maan, J. C.
Eshlaghi, S.
Reuter, D.
Wieck, A. D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2028827.pdf
Data publikacji:: 2001-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.35.-y
71.36.+c
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 397-402
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The lateral motion of excitons in GaAs quantum wells is studied by means of spatially resolved photoluminescence. We show that at low temperatures (4.2 K) the exciton motion evolves from localised excitons (zero mobility) in thin quantum wells to extremely high mobilities in wide wells. We find that for the widest quantum well investigated the observed motion cannot be explained by simple exciton diffusion and must be explained by the propagation of ballistic exciton polaritons.

Informacja

Powiązane pozycje