Cd(Mg)Se Single Layers and CdSe/CdMgSe Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy on InAs(001) Substrates

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Cd(Mg)Se Single Layers and CdSe/CdMgSe Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy on InAs(001) Substrates
Autorzy:: Kaygorodov, V. A.
Sorokin, V. S.
Sedova, I. V.
Nekrutkina, O. V.
Sorokin, S. V.
Shubina, T. V.
Toropov, A. A.
Ivanov, S. V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2028799.pdf
Data publikacji:: 2001-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.66.Hf
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 443-450
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We report on molecular beam epitaxy of CdSe/CdMgSe heterostructures on InAs(001) substrates and studies of their optical and structural properties. The CdMgSe energy gap versus composition dependence is determined. The zinc-blende MgSe band-gap energy and optical bowing parameter are estimated to be 4.05 eV and 0.2 eV, respectively. The CdSe quantum wells embedded into CdMgSe barriers demonstrate intense photoluminescence. Effective mass approximation calculations of electron-heavy hole optical transitions in CdSe quantum well are in a good agreement with the experimental data obtained.

Informacja

Powiązane pozycje