Characterization of Sn Films on Silicon by Slow Positron Implantation Spectroscopy

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Characterization of Sn Films on Silicon by Slow Positron Implantation Spectroscopy
Autorzy:: Nancheva, N.
Docheva, P.
Anwand, W.
Brauer, G.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2025741.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.75.+x
78.70.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2001, 99, 3-4; 435-440
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Sn films grown on silicon substrate by d.c. magnetron sputtering have been investigated by slow positron implantation spectroscopy. As the substrate bias is one of the most important factors affecting the structure of a sputtered film, films grown at various substrate bias (+80 V, 0 V, -80 V) are compared and their properties are discussed.

Informacja

Powiązane pozycje