The temperature dependence of the DC and AC electrical conductivity were measured for Ge$\text{}_{1}$Se$\text{}_{1.35}$Tl$\text{}_{0.1}$ films. The value of DC electrical conduction energy ΔE$\text{}_{σ}$ does not depend on film thickness in the investigated range with mean value of 0.72eV. The AC conductivity σ$\text{}_{AC}$ is related to frequency by the expression σ$\text{}_{AC}$=Aω$\text{}^{S}$, where S is the frequency exponent which decreases linearly with increasing temperature. This can be explained in terms of the pair (bipolaron) correlated barrier hopping model suggested by Elliott. The frequency and temperature dependence of real and imaginary parts of the dielectric constant were studied for Ge$\text{}_{1}$Se$\text{}_{1.35}$Tl$\text{}_{0.1}$ films. The dielectric constant (real part) and the dielectric loss (imaginary part) increase with increasing temperature and decrease with increasing frequency in the investigated range of frequency and temperature. The maximum barrier height W$\text{}_{M}$ can be calculated according to the Giuntini equation at different temperatures. The obtained value of W$\text{}_{M}$ is in good agreement with the theory of hopping of charge carriers over a potential barrier as suggested by Elliott in case of chalcogenide glasses.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00