Tunneling Magnetoresistance in Planar Ferromagnetic Junctions

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Tunneling Magnetoresistance in Planar Ferromagnetic Junctions
Autorzy:: Wilczyński, M.
Barnaś, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2013036.pdf
Data publikacji:: 2000-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.15.Gd
73.40.Gk
75.70.-i
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 3; 443-446
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bias dependence of the tunnel magnetoresistance in simple planar ferromagnetic junctions is considered theoretically within the one-band model. The limit of sequential tunnelling in double junctions with a non-magnetic central electrode is studied as well. In this case tunnel magnetoresistance exists only when the spin relaxation time due to spin-flip scattering processes inside the central electrode is sufficiently long.

Informacja

Powiązane pozycje