Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Scattering Theory of the Johnson Spin Transistor

Powrót do listy wyników

Poprzedni 4 z 22 Następny

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Scattering Theory of the Johnson Spin Transistor
Autorzy:: Geux, L. S.
Brataas, A.
Bauer, G. A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2011231.pdf
Data publikacji:: 2000-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
73.23.Hk
75.70.Pa
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 1; 119-128
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We discuss a simple, semiclassical scattering theory for spin-dependent transport in a many-terminal formulation, with special attention to the four terminal device of Johnson referred to as spin transistor.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Scattering Theory of the Johnson Spin Transistor

Powiązane pozycje