Various types of layer structures obtained by direct bonding of oxidised silicon wafers were studied by means of different X-ray topographic methods using white synchrotron beam and the observation of selective etching pattern using scanning electron microscopy and optical microscopy with Nomarski contrast. In the present investigation the particularly important results were obtained with synchrotron section topography, which revealed different defects caused by bonding of thick wafers, in particular the dislocations and microcracks. The different situation was observed in the case of bonding with a very thin layer separated from a silicon substrate by high dose proton implantation. In this case a thin layer accommodated practically all induced strain and the bonded oxidised thick substrate remained defect-free in its inner volume.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00