Doppler broadening measurements performed by a slow positron beam on p-type Si samples implanted with He at 20 keV and at a fluence of 5×10$\text{}^{15}$ and 2×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$ are reviewed and discussed. The evolution of the open volume defects distribution was studied as a function of isochronal and isothermal annealing of the samples. In the as implanted samples the majority of the open volume defects produced by implantation was passivated by He. The open volume defects density decreases, reaching a minimum at 250°C. In the 250-650°C temperature range there is an increase in defects due to the appearance of vacancy clusters. At the higher annealing temperatures (700-900°C) the vacancy clusters disappear only in the samples implanted at 5×10$\text{}^{15}$ cm$\text{}^{-2}$.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00