Porous synthetic opal possessing a three-dimensional photonic band structure of semimetallic type was impregnated with polycrystalline CdS. The photonic stop band in (111) direction was examined by means of photoreflection technique. Under cw laser excitation of semiconductor inclusions the reflectance of the system changes indicating a modification of photonic band structure. A possible mechanism is discussed. Numerical simulations within the framework of quasicrystalline approximation are given.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00