Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Interface Effects in the Model of δ-Potential for 2D Semiconductor Quantum Structures

Tytuł:
Interface Effects in the Model of δ-Potential for 2D Semiconductor Quantum Structures
Autorzy:
Semenov, Yu. G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992189.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
78.66.-w
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 526-530
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Here we show that the enhancement of exchange field at the nonmagnetic- semimagnetic semiconductor interface can be described by δ-localized exchange field. In this model, the wave functions of electron confined in quantum well with semimagnetic barriers can be found analytically for an arbitrary orientation of magnetic field B with respect to growth axis C. Two cases corresponding to B∥C and B⊥C are considered. The comparison of present approach with experimental data shows that the proposed method is an efficient tool for interface investigation in 2D quantum structures.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies