Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Probabilistic Analysis of Site-Occupation Preferences in Ga$\text{}_{x}$In$\text{}_{1-x}$As$\text{}_{y}$Sb$\text{}_{1-y}$ and Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se$\text{}_{y}$Te$\text{}_{1-y}$ Quaternary Compounds

Tytuł:
Probabilistic Analysis of Site-Occupation Preferences in Ga$\text{}_{x}$In$\text{}_{1-x}$As$\text{}_{y}$Sb$\text{}_{1-y}$ and Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se$\text{}_{y}$Te$\text{}_{1-y}$ Quaternary Compounds
Autorzy:
Robouch, B.
Kisiel, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992071.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
63.90.+t
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 497-502
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Site-occupation preferences in quaternary GaInAsSb and CdMnSeTe compounds in tetrahedrally coordinated zinc-blende structures are discussed. Probabilistic eigenfunctions are defined to determine individual component pair-populations from measured average-pair distributions. The methodology and possible traps in interpreting site-occupation preferences of published EXAFS experimental overall average-pair distributions are discussed. The approach allows a deeper understanding of individual pair selective preferences in semiconducting multinary compounds. EXAFS reported departures from Bernoulli random distributions point to changes within elemental tetrahedral average-populations. Resolution requires that for tetrahedral structures experimental data best-fit be a 4th degree polynomial, product of a parabola by the factor x(1-x). The analysis shows that both materials have a marked preference for elemental tetrahedra with odd numbers of competing species of ions around a central ion.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies