Tunneling Magnetoresistance in Ferromagnetic Junctions: Bias Dependence

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Tunneling Magnetoresistance in Ferromagnetic Junctions: Bias Dependence
Autorzy:: Barnaś, J.
Lee, S. F.
Holody, P.
Schelp, L. F.
Petroff, F.
Fert, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968769.pdf
Data publikacji:: 1998-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
73.40.Rw
75.70.-i
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 93, 2; 387-391
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Electron tunneling between two ferromagnetic electrodes across an insulating barrier is analysed theoretically and experimentally. The barrier is either uniform or it includes a layer of small magnetic metallic particles. Particular attention is paid to the origin of the tunneling magnetoresistance and its bias dependence, as well as to the effects due to Coulomb blockade.

Informacja

Powiązane pozycje