In the resonant tunneling diode incorporating a wide one-sided spacer layer, an oscillation picture has been studied in both polarities of the applied voltage in high magnetic field. The results lead to the conclusion that the interference between the electron waves running in the forward direction and the ones reflected at some potential step can occur in both the emitter and collector regions. The characteristic lengths corresponding to the path of the ballistic motion of electrons were estimated. An exchange enhancement of the electronic g-factor in two-dimensional systems was observed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00