X-Ray Structure Perfection Diagnostics of Slightly Distorted Silicon Crystals in the Bragg Case of Diffraction

Szczegóły
Opis

Tytuł:: X-Ray Structure Perfection Diagnostics of Slightly Distorted Silicon Crystals in the Bragg Case of Diffraction
Autorzy:: Khrupa, V.
Krasulya, S.
Machulin, V.
Datsenko, L.
Auleytner, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1964151.pdf
Data publikacji:: 1997-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.66.Bi
81.40.-z
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 981-985
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

A new approach to structure perfection diagnostics of dislocation-free silicon crystals has been developed using the Bragg case of diffraction. The approach is being based on successive measurements of integral reflectivity and the spatial intensity distribution of reflected beam on the same diffraction planes of a real crystal by means of a single crystal diffractometer.

Informacja

Powiązane pozycje