2 MeV arsenic or gallium ions were used to produce nonstoichiometric buried amorphous layers in gallium arsenide. The mechanism of thermally induced regrowth of these layers was investigated using transmission electron microscopy. Low-temperature annealing resulted in nucleation of high densities of stacking faults. This was associated with the local nonstoichiometry of the amorphous layers. After annealing at high temperatures, in arsenic as well as in gallium implanted samples, two layers of voids, formed in result of vacancies clustering, were found in areas adjacent to the initial location of the amorphous-crystalline interfaces. A qualitative model of the formation of such layers was proposed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00