Wigner Crystallization in InGaAs/InP Heterostructures with a Strong Disorder

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Wigner Crystallization in InGaAs/InP Heterostructures with a Strong Disorder
Autorzy:: Kovács, Gy.
Remenyi, G.
Gombos, G.
Savel'ev, I. G.
Kreshchuk, A. M.
Hegman, N.
Pödör, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933825.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.20.Dx
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 783-786
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Non-linear current-voltage characteristics were observed in the range of filling factors of 0.3 ≤ v ≤ 0.4 in a two-dimensional electron system in InGaAs/InP heterostructures with a strong disorder. The observations are explained qualitatively in terms of magnetic field induced localization and Wigner solidification.

Informacja

Powiązane pozycje