Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Influence of Accumulation Layer on Rcsonant Tunneling in Double-Barrier Structures

Tytuł:
Influence of Accumulation Layer on Rcsonant Tunneling in Double-Barrier Structures
Autorzy:
Kaczmarek, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933785.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 755-758
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The existing theory of the resonant tunneling phenomena in double-barrier structures takes into account the energy quantization in the well confined between the barriers only. In real tunneling structures there is another well, i.e., the accumulation well in the spacer region separating the highly doped region and the double-barrier structure. In the present paper the transmission coefficient for double-barrier structures with an accumulation layer as a function of applied voltage has been derived. The experimentally observed oscillations of the tunneling current can be explained by the obtained quantization of the energy spectrum in the accumulation well.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies