Current density-voltage characteristics were obtained from 2,6-diamino anthraquinone samples using ohmic aluminium electrodes. Results showed that at low voltage the conduction process was ohmic, while at high voltage space-charge-limited conduction controlled by a single dominant trap level was presented. Thickness dependence measurements proved that the trapping sites were located at a discrete energy level. The transition voltage, V, between ohmic and space-charge-limited conduction was approximately proportional to the square of the sample thickness and was found to be temperature independent. The temperature dependence of ohmic and space-charge-limited current densities have been investigated. The results were interpreted in terms of extrinsic nature of ohmic conduction. Traps with density ≈ 2 × 10$\text{}^{24}$ m$\text{}^{-3}$ located at 0.50 ± 0.03 eV below the conduction band edge have been observed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00