The structure and the depth distribution of radiation damage caused in ⟨111⟩ Si by high-dose krypton implantations (E$\text{}_{i}$ = 150 keV, T$\text{}_{i}$ = RT, D$\text{}_{1}$ = 5 × 10$\text{}^{15}$, D$\text{}_{2}$ = 1 × 10$\text{}^{16}$ and D$\text{}_{3}$ = 5 × 10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$) have been investigated using techniques of transmission electron microscopy. Formation of secondary defects (Kr bubbles and microtwins) on subsequent different annealing procedures, i.e. during solid phase epitaxial regrowth of damaged layers by conventional furnace heating and liquid phase epitaxial regrowth by applying laser pulses is compared and discussed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00