The resistivity (ρ) and temperature coefficient of resistivity (TCR) dependencies on modulation wavelength (λ) were examined in Fe/Zr multi-layer thin films. It was shown that the ρ(λ) and TCR(λ) behaviours can be explained on the basis of the assumption that the amorphous phase can be spontaneously formed during the deposition process. We found that the effective thickness of the amorphous phase was ≈2 nm per single interface.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00