Electric Field Stimulated Emission of Electrons from Deep Traps in SiO$\text{}_{2}$

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Electric Field Stimulated Emission of Electrons from Deep Traps in SiO$\text{}_{2}$
Autorzy:: Strzałkowski, I.
Marczewski, M.
Kowalski, M.
Jastrzębski, C.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929724.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.Jv
73.40.Qv
73.60.Hy
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 701-704
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

An electric field induced electron tunneling emission from deep traps and an energy distribution of trap levels in VLSI grade SiO$\text{}_{2}$ layers have been studied using a new isochronal - EFSE - technique. A broad spectrum with a density of trap states peak at about 1.9 eV was observed for the first time. The experiment proved the importance of an electron trap-to-band tunneling emission in SiO$\text{}_{2}$.

Informacja

Powiązane pozycje