Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Investigation of the Dependence of Dielectric Properties of D-Serine Admixtured TGS Crystals on the Distance from the Seed of the Crystal Growth

Tytuł:
Investigation of the Dependence of Dielectric Properties of D-Serine Admixtured TGS Crystals on the Distance from the Seed of the Crystal Growth
Autorzy:
Stankowska, J.
Czarnecka, A.
Dongo Gemi, Bangobango
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929193.pdf
Data publikacji:
1993-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.22.Ch
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 4; 485-494
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Dielectric properties of a D-serine admixtured triglycine sulphate (TGS) crystal were studied on samples cut out from different sites in the crystal. The value of spontaneous polarization P$\text{}_{s}$ measured on b-cuts was found to be independent of the site. Whereas the coercive field E$\text{}_{c}$ values were higher for the samples cut out closer to the seed than for those cut out at the ends of the crystal along b axis. After rejuvenation the values of the bias field E$\text{}_{b}$ increased in contrary to the effect observed in the pure TGS crystals. An exponentially decreasing dependence of the maximum permittivity ε$\text{}_{max}$ on the site of the samples (b-plates) cut out along b axis from -b to +b positions, was obtained.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies