Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Precision of the Hall Quantization in Naturally Occurring Two-Dimensional System - HgCdMnTe Bicrystals

Tytuł:
Precision of the Hall Quantization in Naturally Occurring Two-Dimensional System - HgCdMnTe Bicrystals
Autorzy:
Grabecki, G.
Wittlin, A.
Dietl, T.
Teunissen, P. A. A.
Wiegers, S. A. J.
Perenboom, J. A. A. J
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921658.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.My
72.80.Ey
73.40.Lq
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 733-736
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
New magnetoresistance measurements on naturally occurring inversion layers adjacent to grain boundaries in narrow gap diluted magnetic semiconductor HgCdMnTe (Eg ≤ 200 meV) have been performed. The magnetic fields up to 20 T simultaneously with millikelvine temperatures have been applied. Possible experimental factors affecting the quantum Hall effect in our system are discussed in detail.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies