W procesie epitaksji z roztworu wysokotemperaturowego otrzymano struktury Cr,Mg: YAG/Yb:YAG mogące stanowić materiał wyjściowy do wytworzenia monolitycznych mikrolaserów impulsowych z pasywną modulacją dobroci rezonatora wzbudzanych diodami półprzewodnikowymi. Określono wpływ stężenia Cr2O3w roztworze na wielkość absorpcji optycznej warstw oraz niedopasowanie sieciowe warstw i podłoża. Pomiary transrnitancji optycznej struktur epitaksjalnych w funkcji gęstości energii wiązki promieniowania o długości fali 1064 nm wykazały, że współczynnik absorpcji warstw Cr,Mg:YAG jest nieliniową, funkcją gęstości energii wiązki, a tym samym warstwy te mogą pracować jako absorbery pasywne.
Liquid phase epitaxy from high temperature solution was used to grow Cr,Mg: YAG/Yb:YAG structures in order to prepare suitable material for diode-pumped passively Q-switched microchip laser. The influence of Cr2O3 molar ratio in the melt on the optical absorption and lattice mismatch between the film and substrate was determined. According to spectroscopic and transmission saturation measurements we concluded that the Cr,Mg:YAG layers could be used as a saturable absorber for microlaser operating near 1 μm.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00