Shallow-Deep Instability of Donor States in Many-Valley Semiconductors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Shallow-Deep Instability of Donor States in Many-Valley Semiconductors
Autorzy:: Grinberg, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1890895.pdf
Data publikacji:: 1991-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.-i
71.38.+i
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 361-364
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The shallow-deep instability of double and single donors in multi-valley semi conductors using the model Hamiltonian is studied. The obtained results describe properly the properties of double donors (in D$\text{}^{0}$ and D$\text{}^{+}$ state) in Ge and single deep donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As for 0.3 < x < 0.5.

Informacja

Powiązane pozycje