Recombination nearby N-n GaSb/GaInAsSb Staggered Lineup Heterojunction

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Recombination nearby N-n GaSb/GaInAsSb Staggered Lineup Heterojunction
Autorzy:: Popov, A. A.
Imenkov, A. N.
Kolchanova, N. M.
Yakovlev, Yu. P.
Piotrowski, T. T.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1877143.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.Nz
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 559-562
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The recombination nearby large band-offset staggered lineup N-GaSb/n-GaInAsSb heterojunction was investigated by means of the electroluminescence and carrier lifetime measurements. It was demonstrated that the nature of recombination, tuning rate as well as relation between radiative and non-radiative recombination strongly depend on the N-n band-offset and that its increase improves the carrier localization on the N-n interface.

Informacja

Powiązane pozycje