Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Signal processing for time resolved photoluminescence spectroscopy

Tytuł:
Signal processing for time resolved photoluminescence spectroscopy
Autorzy:
Grodecki, Kacper
Murawski, Kkrzysztor
Rutkowski, Jarosław
Kowalewski, Andrzej
Sobieski, Jan
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818200.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
epitaxy
HgCdTe
photoluminescence
time-resolved photoluminescence
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 91--96
1230-3402
Język:
angielski
Prawa:
CC BY-SA: Creative Commons Uznanie autorstwa - Na tych samych warunkach 4.0
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Accurate determination of material parameters, such as carrier lifetimes and defect activation energy, is a significant problem in the technology of infrared detectors. Among many different techniques, using the time resolved photoluminescence spectroscopy allows to determine the narrow energy gap materials, as well as their time dynamics. In this technique, it is possible to observe time dynamics of all processes in the measured sample as in a streak camera. In this article, the signal processing for the above technique for Hg1-xCdxTe with a composition x of about 0.3 which plays an extremely important role in the mid-infrared is presented. Machine learning algorithms based on the independent components analysis were used to determine components of the analyzed data series. Two different filtering techniques were investigated. In the article, it is shown how to reduce noise using the independent components analysis and what are the advantages, as well as disadvantages, of selected methods of the independent components analysis filtering. The proposed method might allow to distinguish, based on the analysis of photoluminescence spectra, the location of typical defect levels in HgCdTe described in the literature.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies