Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

X-ray Reflectivity and Polarized Neutron Reflectivity Investigations of $[Co_{60}Fe_{60}B_{20}//MgO]_n$ Multilayers

Tytuł:
X-ray Reflectivity and Polarized Neutron Reflectivity Investigations of $[Co_{60}Fe_{60}B_{20}//MgO]_n$ Multilayers
Autorzy:
Vadalà, M.
Wolff, M.
Westerholt, K.
Zabel, H.
Wisniowski, P.
Cardoso, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1814030.pdf
Data publikacji:
2007-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.-i
75.50.Kj
75.50.Cc
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 6; 1249-1257
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In recent years magnetic tunnel junctions have been intensively studied and incorporated in magnetic random access memory devices and magnetic sensors, where large tunnelling magnetoresistance ratios are preferred. The largest tunnelling magnetoresistance values until now have been observed in magnetic tunnel junctions with MgO barriers and CoFeB electrodes after annealing of the junction above the recrystallization temperature of the amorphous CoFeB layers. We used X-ray reflectivity and polarized neutron reflectivity to study [Co_{60}Fe_{60}B_ {20}//MgO]_{x14} multilayers with the MgO layers prepared by different methods and annealed at different temperatures in order to compare the interface quality and the structural changes induced upon annealing.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies