In recent years magnetic tunnel junctions have been intensively studied and incorporated in magnetic random access memory devices and magnetic sensors, where large tunnelling magnetoresistance ratios are preferred. The largest tunnelling magnetoresistance values until now have been observed in magnetic tunnel junctions with MgO barriers and CoFeB electrodes after annealing of the junction above the recrystallization temperature of the amorphous CoFeB layers. We used X-ray reflectivity and polarized neutron reflectivity to study [Co_{60}Fe_{60}B_ {20}//MgO]_{x14} multilayers with the MgO layers prepared by different methods and annealed at different temperatures in order to compare the interface quality and the structural changes induced upon annealing.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00