Transport in a single planar tunnel junction with electrodes made of a ferromagnetic semiconductor is analyzed theoretically in the zero- -temperature limit. Tunneling current and both (in-plane and out-of-plane) components of the spin torque exerted on one of the ferromagnetic electrodes are determined as a function of the angle\thet a between magnetic moments of the electrodes. The influence of the bias voltage and spin splitting of the electron band (in both electrodes) on the spin torque components is analyzed numerically.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00