Here we present the domain wall dynamics in FeNi-based microwires with positive magnetostriction. Two different ranges were found which differs by the measured domain wall mobility. At low fields, the domain wall dynamics exhibit small mobility, whereas at higher field the domain wall mobility increases. The difference in the two regimes of the domain wall dynamics is treated in terms of the different domain wall structure. At low fields, the transversal domain wall is expected, with low domain wall mobility. At high field, the vortex-type domain wall with high domain wall mobility is created.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00