Diode-like samples, containing porous silicon structures, were investigated by microwave radiation pulses. The resistance of the samples and electromotive force arising over the samples placed in a section of waveguide was measured. Reduction of resistance of the samples was observed with increase in microwave power. More complicated shape of the electromotive force dependence on pulse power was found. It is shown that both effects could be explained by models based on a concept of carrier heating by microwave radiation.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00