Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Double Injection Current Transients in a-Si:H

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Double Injection Current Transients in a-Si:H
Autorzy:: Nekrašas, N.
Genevičius, K.
Juška, G.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1813197.pdf
Data publikacji:: 2008-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.50.Gr
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 845-849
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

In this work we present results of both computer modelling and experimental studies of double injection current transients in amorphous hydrogenated silicon thin layers.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Double Injection Current Transients in a-Si:H

Powiązane pozycje