Luminescence Decay Kinetics in GaN Studied by Frequency Domain Measurements

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Luminescence Decay Kinetics in GaN Studied by Frequency Domain Measurements
Autorzy:: Mickevičius, J.
Vitta, P.
Tamulaitis, G.
Žukauskas, A.
Shur, M.
Zhang, J.
Yang, J.
Gaska, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1813195.pdf
Data publikacji:: 2008-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.Jv
78.55.Cr
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 833-837
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Carrier dynamics in high-quality GaN epilayer was investigated at two extreme excitation levels. Carrier lifetime under high excitation conditions was estimated by using light-induced transient grating technique. Measurements at extremely low excitation power density were performed by using frequency-domain fluorescence lifetime technique. The study was performed in a wide temperature range from 8 to 300 K. The results revealed the influence of donor-acceptor pair recombination and carrier trapping processes.

Informacja

Powiązane pozycje