Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electronic Structure of $Y_{3}Al_{5}O_{12}:V$ Single Crystals, Comparison with Sintered Ceramics

Tytuł:
Electronic Structure of $Y_{3}Al_{5}O_{12}:V$ Single Crystals, Comparison with Sintered Ceramics
Autorzy:
Kruczek, M.
Talik, E.
Kusz, J.
Sakowska, H.
Świrkowicz, M.
Węglarz, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1810470.pdf
Data publikacji:
2009-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
33.60.+q
33.70.Jg
79.60.-i
79.60.Bm
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 1; 209-212
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
$Y_{3}Al_{5}O_{12}$ (YAG) single crystals doped with vanadium ions $(V^{3+})$ were obtained by the Czochralski method. The X-ray photoelectron spectra of YAG:V annealed in reducing atmospheres: $H_{2}$, vacuum and $H_{2}$ + vacuum are presented and compared with the spectra of the YAG ceramics. The X-ray photoelectron spectra showed that the vanadium dopant concentration in YAG:V crystals is lower than a nominal one. For the "as grown" YAG:2.8at.%V crystal vanadium exists in the mixed valence state. The increase in lattice parameters for the samples annealed in hydrogen was found.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies