Electronic Structure of $Y_{3}Al_{5}O_{12}:V$ Single Crystals, Comparison with Sintered Ceramics

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Electronic Structure of $Y_{3}Al_{5}O_{12}:V$ Single Crystals, Comparison with Sintered Ceramics
Autorzy:: Kruczek, M.
Talik, E.
Kusz, J.
Sakowska, H.
Świrkowicz, M.
Węglarz, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1810470.pdf
Data publikacji:: 2009-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 33.60.+q
33.70.Jg
79.60.-i
79.60.Bm
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 1; 209-212
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

$Y_{3}Al_{5}O_{12}$ (YAG) single crystals doped with vanadium ions $(V^{3+})$ were obtained by the Czochralski method. The X-ray photoelectron spectra of YAG:V annealed in reducing atmospheres: $H_{2}$, vacuum and $H_{2}$ + vacuum are presented and compared with the spectra of the YAG ceramics. The X-ray photoelectron spectra showed that the vanadium dopant concentration in YAG:V crystals is lower than a nominal one. For the "as grown" YAG:2.8at.%V crystal vanadium exists in the mixed valence state. The increase in lattice parameters for the samples annealed in hydrogen was found.

Informacja

Powiązane pozycje