Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Thermodynamic Temperature and Density of Ar(I) for 4S[1/2]0 State in a Facing Target Sputtering System

Tytuł:
Thermodynamic Temperature and Density of Ar(I) for 4S[1/2]0 State in a Facing Target Sputtering System
Autorzy:
Yasuda, Y.
Nishimiya, N.
Hoshi, Y.
Suzuki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791238.pdf
Data publikacji:
2009-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
32.30.-r
42.62.Fi
52.70.-m
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 4; 560-562
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The 4S' [1/2]0 → 4P' [3/2]1 transition of Ar(I) in a facing target sputtering chamber is measured using a Ti:sapphire ring laser at several operating conditions. Doppler width and line intensity are determined by analysis using the Voigt function. The thermodynamic temperature determined from the Doppler width increases linearly with discharge current and gas pressure. The population density from the line intensity is reduced to the reference temperature obtained by interpolating the discharge current to zero. The empirical relationship to describe population density at a discharge current and a gas pressure is discussed.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies