Electron beam lithography, due to the high design flexibility and high pattering resolution can be used as an exclusive lithography method in device fabrication in R&D reality. To achieve the reasonable time of process exposition, some essential steps and actions must be done. In the article, the main technical and technological dependences, based on AlGaN/GaN HEMT transistor fabrication, will be presented and discussed. As a result of conducted studies, the total time of the most important lithography process expositions will be shown and explained.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00