Multi-stacked InAs QDs embedded in ten periods of GaAs/$In_{0.1}Ga_{0.9}As$ strained layers were grown by MBE and their optical properties were investigated by using PL spectroscopy. For the QDs embedded in ten periods of GaAs/$In_{0.1}Ga_{0.9}As$ strained layers, the PL intensity is enhanced about 4.7 times and a narrower FWHM of 26 meV is observed compared to those of the conventional multi-stacked QDs. The PL spectra of the InAs QDs show blue-shifts of about 50 meV with increasing annealing temperature up to 850°C. At annealing temperature of 600°C, the FWHM of the PL peak is reduced to 16 meV and PL intensity is enhanced compared to those of the as-grown sample, which indicates improvement of size uniformity and crystal quality of the QDs.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00