Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

High Temperature Surface Conductivity of Hydrogenated Diamond Films Exposed to Humid Air

Tytuł:
High Temperature Surface Conductivity of Hydrogenated Diamond Films Exposed to Humid Air
Autorzy:
Stec, K.
Szroeder, P.
Benzhour, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1536522.pdf
Data publikacji:
2010-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.25.+i
81.05.ug
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 3; 511-514
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Surface conductivity of thin diamond films was measured as a function of temperature up to 450°C. Hydrogenated diamond was synthesized by chemical vapor deposition in hydrogen/carbon plasma. Low values of charge carrier activation energy ( ≈ 10 meV) were observed, when hydrogenated diamond films were exposed to the ambient humid air. However, the activation energy increased by two orders of magnitude as film temperature exceeded 300°C. We have attributed this behavior to the desorption of the $H_2O$ adlayer. The jump of the activation energy did not occur, when experiment was performed in vacuum. We have also shown that donor doping leads to the up-shift of the Fermi level much above the acceptor-like band gap levels induced by surface C-H bonds, which cannot be compensated by transfer of electrons from diamond to the double $H-H_2O$ layer.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies