Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Structure Refinement of the Semiconducting Compound $Cu_3TaS_4$ from X-Ray Powder Diffraction Data

Tytuł:
Structure Refinement of the Semiconducting Compound $Cu_3TaS_4$ from X-Ray Powder Diffraction Data
Autorzy:
Delgado, G.
Contreras, J.
Mora, A.
Durán, S.
Muñoz, M.
Grima-Gallardo, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493612.pdf
Data publikacji:
2011-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.50.Nw
61.66.Fn
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 3; 468-472
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The ternary compound $Cu_{3}TaS_{4}$ has been investigated by means of X-ray powder diffraction and its structure has been refined by the Rietveld method. This compound is isostructural with the sulvanite mineral $Cu_{3}VS_{4}$, and crystallizes in the cubic $P \bar{4} 3m$ space group (No. 215), Z = 1, with unit cell parameters a = 5.5145(1) Å and V = 167.70(1) $Å^{3}$. The refinement of 14 instrumental and structural parameters converged to $R_{p}$ = 4.4%, $R_{wp}$ = 6.8%, $R_{exp}$ = 5.5% and S = 1.2 for 4501 step intensities and 33 independent reflections.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies