Self-Compensation Mechanism in Semi-Insulating CdMnTe Crystals Intended for X/γ-Ray Detectors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Self-Compensation Mechanism in Semi-Insulating CdMnTe Crystals Intended for X/γ-Ray Detectors
Autorzy:: Yurtsenyuk, N.
Kosyachenko, L.
Sklyarchuk, V.
Maslyanchuk, O.
Sklyarchuk, O.
Grushko, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1492970.pdf
Data publikacji:: 2011-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.Fr
72.80.Ey
78.20.Ci
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 957-959
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The electrical properties of single $Cd_{1 - x}Mn_{x}Te$ (x= 0.07 - 0.39) crystals with a resistivity of ≈ $10^8$ Ω cm at 300 K have been studied. The electrical conductivity is explained in the terms of statistics of electrons and holes in a semiconductor taking into account the compensation process in impurity-defect complexes. The energy of ionization and the degree of compensation levels have been found.

Informacja

Powiązane pozycje