InP and GaAs crystal structure changes under the influence of swift Kr and Bi ions have been studied by means of scanning electron microscopy, atomic force microscopy and selective chemical etching. The previous disordering of samples by electron irradiation has shown to lead to macrodefect formation in the form of cracks and breaks, at the depths near the ion end-of-range, and on the crystal surface. A possible explanation of the observed effects is proposed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00