Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electrical Behaviour of Nanostructured Porous Silicon

Tytuł:
Electrical Behaviour of Nanostructured Porous Silicon
Autorzy:
Azim-Araghi, M.
Ashrafabadi, S.
Kanjuri, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1419847.pdf
Data publikacji:
2012-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.30.+y
73.40.Sx
73.50.-h
73.90.+f
73.63.Rt
68.37.Hk
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 1; 170-173
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The electrical behaviour of porous silicon layers has been investigated on one side of p-type silicon with various anodization currents, electrolytes, and times. Electron microscopy reveals the evolution of porous silicon layer morphology with variation in anodization time. In this work electrical conductivity of bulk silicon and porous layer which is formed by electrochemical etching is compared due to I-V measurements and calculation of activation energy. We have also studied the dependence of porous silicon conductivity on fabrication conditions. Also the effect of the temperature on conduction of porous silicon at different frequencies is investigated. At last dependence of capacitance on the temperature was probed at $10^2 - 10^5$ Hz frequency range.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies