Using examples of some perspective electronic materials (HgSeS, $Fe_3O_4$, InN, and others) it is shown that magnetoresistance data at high magnetic fields allow evaluating the true values of mobility of charge carriers in spite of any "adverse factors". Additional impacts involving high pressure and irradiation with high-energy particles (neutrons, electrons, ions) produce the enhancement of magnetoresistance technique of testing and allow to go into details of the type of electron structure and scattering mechanisms of charge carriers.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00